Galijev nitrid (GaN) je kristalinični material, ki lahko prevaja višje napetosti. Tok teče hitreje skozi komponente iz GaN kot silicija, kar ima za posledico višje hitrosti obdelave. GaN je učinkovitejši, zato je manj toplote.

Vendar v ozadju je zgodba precej obsežnejša kot samo to. Berite dalje, če želite izvedeti celotno zgodbo.

Zakaj so GaN polnilniki boljši od navadnih polnilnikov?

Komponente GaN prevajajo elektrone učinkoviteje kot silicij in lahko prenesejo višja električna polja. To omogoča napravam GaN vrhunsko moč in hitrost ter delujejo pri nižjih temperaturah. Zaradi tega GaN postopoma nadomešča silicij pri izdelavi polnilnikov in druge elektronike.

Kar zadeva polnilnike, je toplota na splošno posledica preobremenjenosti nekaterih komponent. Ker GaN deluje veliko hitreje in učinkoviteje, se v primerjavi z napravami na osnovi silicija ustvari bistveno manj toplote.

Ker se proizvaja manj toplote, je mogoče komponente zbližati, da so naši polnilniki manjši kot kadar koli prej, ne da bi pri tem žrtvovali moč ali varnost.

Naša zgodovina z GaN

• 2018 – Anker začne uporabljati tehnologijo GaN
  • Anker je bil prvi v industriji, ki je v polnilnikih uporabil tehnologijo GaN. Naš prvi polnilnik GaN, PowerPort III Atom PD, je bil izdan oktobra 2018.
• 2019 – Anker Atom PD 1 prejme nagrado CES 2019 Innovation Award
• 2021 – Anker začne uporabljati tehnologijo GaN II
  • Kaj je GaN II?
    • Ima dodano vezje za povečanje učinkovitosti, zmanjšanje toplote in zmanjšanje velikosti.
    • Učinkovitejši in z 2-krat višjo delovno frekvenco kot prva generacija GaN.
• 2022 – Polnilnik Anker 736 (Nano II 100 W) prejme nagrado CES 2022 Innovation Award